Source : Intel
19/08/2010
Les sociétés Intel et Micron Technology sont parvenues à graver en 25 nanomètres de la mémoire flash NAND de 3 bits par cellule. Ces puces NAND, les plus petites du marché dotées de la plus grande capacité de stockage, ont déjà été expédiées pour être testées chez les partenaires des deux entreprises. Leur mise en production devrait intervenir avant la fin 2010.
Le but est qu'elles soient rapidement installées dans les dispositifs USB, les cartes flash SD (Secure Digital) et dans l'électronique grand public. La mémoire flash sert en effet principalement au stockage de données, de photos et autres contenus multimédias, dans les appareils photos, caméscopes numériques, baladeurs multimédias et tous types d'ordinateurs individuels. Des marchés soumis à une constante pression pour une augmentation de la capacité de stockage à petit prix.
Avec les puces NAND, la co-entreprise Intel-Micron Flash Technologies (IMFT) vient de réussir une belle prouesse technologique. Ces puces de 64 ou 8 gigaoctets stockent trois bits d'information par cellule, contre un ou deux bits jusque-là (cellules à un niveau ou multiniveau, SLC ou MLC). C'est pourquoi on appelle le 3 bpc des cellules TLC (Triple-Level Cells). A capacité identique, elles sont plus de 20 % plus petite que les mémoires MLC 25 nm de Micron qui sont déjà les plus petites des 8 Go du marché.
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